透明真空袋/空白真空袋的尼龍材質(zhì)薄膜晶點(diǎn)怎么產(chǎn)生的廠家如何處理
時(shí)間: 2016-03-19 21:58:16     來(lái)源: 透明真空袋


         透明真空袋/空白真空袋的尼龍

       透明真空袋生產(chǎn)中最大的障礙是晶點(diǎn),最難解決的問(wèn)題也是晶點(diǎn)的消除。特別是多層尼龍共擠技術(shù)薄膜的加工過(guò)程中,解決晶點(diǎn)問(wèn)題變的尤為突出。
晶點(diǎn)的成因復(fù)雜,晶點(diǎn)的消除更為困難。尼龍共擠薄膜加工過(guò)程中,不同的材料,不同加工特性的樹脂必須在同一個(gè)模頭內(nèi)、相同的加工條件下成型。原則上有必須遵循低溫服從高溫這種違背塑料成型加工特性和原理的加工條件處理和成型薄膜,因此產(chǎn)生晶點(diǎn)是多層共擠薄膜最常見也是最難消除的問(wèn)題。下面是各類晶點(diǎn)的判斷方法。
1、尼龍層中的尼龍晶點(diǎn)
通常尼龍層中的尼龍晶點(diǎn)可以被我們用染色的方法來(lái)進(jìn)行區(qū)別,可以染色為黃色、褐色或紅色。而非尼龍晶點(diǎn)通常保持白色或半透明狀態(tài),不會(huì)被染上顏色。
尼龍晶點(diǎn)絕大多數(shù)是由于尼龍?jiān)显诩庸み^(guò)程中發(fā)生交聯(lián)所產(chǎn)生的,也有部分源于設(shè)備成型加工區(qū)(模頭、90度轉(zhuǎn)角、清洗不夠)等因素。
EVOH晶點(diǎn)的成因及現(xiàn)象則和尼龍晶點(diǎn)的成因及現(xiàn)象非常相似。
2、尼龍層的非尼龍晶點(diǎn)
主要源于因?qū)优c層之間熔體黏度不匹配,粘合樹脂或其他熔體進(jìn)入尼龍層中。這種層間的流動(dòng)速度和熔體黏度不匹配,使得薄膜局部截面中的某一段中的一層很容易被另外一層擠掉,因此造成了晶點(diǎn)。
3、非尼龍層中的尼龍晶點(diǎn)
層間產(chǎn)生尼龍晶點(diǎn)的原因有:1]、尼龍料被混入其他擠出機(jī)里;2]、傳統(tǒng)式旋轉(zhuǎn)模頭流道間有泄漏;3]、尼龍層和相鄰層的樹脂樹脂黏度不匹配。
4、非尼龍層中的其他晶點(diǎn)
這些晶點(diǎn)是被交聯(lián)的原料或者未熔融的樹脂顆粒。要確定是除尼龍或EVOH以外何種樹脂成分通常需要對(duì)晶點(diǎn)做FTIR測(cè)試才能知道。
但90%的晶點(diǎn)來(lái)自于靠近粘合樹脂的較厚層(PA-TIE-晶點(diǎn)層)。當(dāng)然也有例外。
5、非尼龍層中的其他(連續(xù)的)小晶點(diǎn)
如粘合樹脂層中呈連續(xù)狀的小晶點(diǎn)。這通常是由于粘合樹脂受到污染或模具清洗不夠、粘合樹脂本身的問(wèn)題所產(chǎn)生的。這類呈連續(xù)狀的小晶點(diǎn)在每一層都有可能發(fā)生,其成因及現(xiàn)象也都極為相似。
知道上述判斷方法后采取有針對(duì)性的解決方法就可以有效地解決晶點(diǎn)問(wèn)題。
回料或填充的加入常常有這樣的問(wèn)題。
(一)什么是"晶點(diǎn)"?
晶點(diǎn)實(shí)際上是"過(guò)度聚合物".即晶點(diǎn)部位聚合物的分子量,高于周圍同種聚合物的分子量,由于分子量高,因此晶點(diǎn)部位聚合物具有較高熔點(diǎn),在熔化時(shí),熔體具有較高的粘度,晶點(diǎn)部位聚合物在吹成薄膜時(shí),不能與周圍的同種聚合物相互均勻地分散/混和,并在熔體吹成薄膜后,先于周圍的同種聚合物凝固.因此,研成"箭頭"狀或球狀過(guò)度聚合物的凝固體.習(xí)慣上被稱為"晶點(diǎn)"。
(二)晶點(diǎn)產(chǎn)生的原因
聚合物之所以產(chǎn)生晶點(diǎn),是因?yàn)?1)聚合物中有殘留的催化劑(2)聚合物熔體粘滯于生產(chǎn)設(shè)備鋼鐵表面,在高溫下,殘留的催化劑對(duì)聚合物繼續(xù)進(jìn)行催化作用,因此形成過(guò)度聚合物。(3)聚合物中所含的氧,也會(huì)使聚合物熔體產(chǎn)生晶點(diǎn)。
晶點(diǎn)來(lái)自兩個(gè)方面:(1)由聚合工藝所造成的晶點(diǎn);不同的聚合設(shè)備及工藝,對(duì)晶點(diǎn)的生成有不同的影響。例如:一些名廠原料,因生產(chǎn)技術(shù)高,聚合物中殘留的催化劑含量低,設(shè)備結(jié)構(gòu)好,因此,原料本身所含的晶點(diǎn)少,但一些品質(zhì)較差的原料,因生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備問(wèn)題,造成原料本身所含的晶點(diǎn)多。(2)由吹膜工藝所造成的晶點(diǎn)。
(三)減少或基本消除晶點(diǎn)的方法
綜上所述,在薄膜吹制工藝中消除晶點(diǎn),主要有兩個(gè)途徑:(1)提高加工設(shè)備的濾網(wǎng)目數(shù),(2)在生產(chǎn)過(guò)程中添加鋼鐵表面潤(rùn)滑劑,使被加工的聚合物熔體不能粘滯于吹膜設(shè)備表面。
從生產(chǎn)工藝上來(lái)說(shuō),雖使用較細(xì)的濾網(wǎng)可濾掉大部份聚合物中的晶點(diǎn),同時(shí)亦可濾除吹膜設(shè)備螺桿及炮筒部位因聚合物粘滯于鋼鐵表面所造成的晶點(diǎn),但問(wèn)題是設(shè)備背壓因此提高,對(duì)某些陳舊設(shè)備來(lái)說(shuō),難以做到.因此依靠換濾網(wǎng),也能對(duì)控制晶點(diǎn)提供幫助。
到目前為止,在國(guó)際上,最有效的晶點(diǎn)控制手段是采用高科技潤(rùn)滑劑,高科技鋼鐵表面潤(rùn)滑劑,由于它的聚合物分子具有高極性的特點(diǎn),使它能從烯烴類聚合物熔體中逸出,并粘附于設(shè)備的鋼鐵表面,從而消除了聚合物熔體在設(shè)備鋼鐵表面的粘滯層,因此聚合物熔體能持續(xù)勻速地被推動(dòng)前進(jìn),消除了粘滯于鋼鐵表面的聚合物熔體過(guò)長(zhǎng)時(shí)間受熱現(xiàn)象,防止了殘留的催化劑對(duì)聚合物的持續(xù)聚合,最終防止了在薄膜吹塑加工工藝中所產(chǎn)生的晶點(diǎn)。
另一方面,由于高科技潤(rùn)滑劑也能粘附于濾網(wǎng)表面,使聚合物熔體流經(jīng)濾網(wǎng)的阻力下降.因此,高科技潤(rùn)滑劑的使用,為采用較細(xì)的濾網(wǎng)提供了工藝條件,而較細(xì)濾網(wǎng)的采用,對(duì)濾除由聚合物生產(chǎn)時(shí)所產(chǎn)生的原生晶點(diǎn),是重要的工藝措施。

晶點(diǎn)的成因復(fù)雜,晶點(diǎn)的消除更為困難。尼龍共擠薄膜加工過(guò)程中,不同的材料,不同加工特性的樹脂必須在同一個(gè)模頭內(nèi)、相同的加工條件下成型。原則上有必須遵循低溫服從高溫這種違背塑料成型加工特性和原理的加工條件處理和成型薄膜,因此產(chǎn)生晶點(diǎn)是多層共擠薄膜最常見也是最難消除的問(wèn)題。下面是各類晶點(diǎn)的判斷方法。
1、尼龍層中的尼龍晶點(diǎn)
通常尼龍層中的尼龍晶點(diǎn)可以被我們用染色的方法來(lái)進(jìn)行區(qū)別,可以染色為黃色、褐色或紅色。而非尼龍晶點(diǎn)通常保持白色或半透明狀態(tài),不會(huì)被染上顏色。
尼龍晶點(diǎn)絕大多數(shù)是由于尼龍?jiān)显诩庸み^(guò)程中發(fā)生交聯(lián)所產(chǎn)生的,也有部分源于設(shè)備成型加工區(qū)(模頭、90度轉(zhuǎn)角、清洗不夠)等因素。
EVOH晶點(diǎn)的成因及現(xiàn)象則和尼龍晶點(diǎn)的成因及現(xiàn)象非常相似。
2、尼龍層的非尼龍晶點(diǎn)
主要源于因?qū)优c層之間熔體黏度不匹配,粘合樹脂或其他熔體進(jìn)入尼龍層中。這種層間的流動(dòng)速度和熔體黏度不匹配,使得薄膜局部截面中的某一段中的一層很容易被另外一層擠掉,因此造成了晶點(diǎn)。
3、非尼龍層中的尼龍晶點(diǎn)
層間產(chǎn)生尼龍晶點(diǎn)的原因有:1]、尼龍料被混入其他擠出機(jī)里;2]、傳統(tǒng)式旋轉(zhuǎn)模頭流道間有泄漏;3]、尼龍層和相鄰層的樹脂樹脂黏度不匹配。
4、非尼龍層中的其他晶點(diǎn)
這些晶點(diǎn)是被交聯(lián)的原料或者未熔融的樹脂顆粒。要確定是除尼龍或EVOH以外何種樹脂成分通常需要對(duì)晶點(diǎn)做FTIR測(cè)試才能知道。
但90%的晶點(diǎn)來(lái)自于靠近粘合樹脂的較厚層(PA-TIE-晶點(diǎn)層)。當(dāng)然也有例外。
5、非尼龍層中的其他(連續(xù)的)小晶點(diǎn)
如粘合樹脂層中呈連續(xù)狀的小晶點(diǎn)。這通常是由于粘合樹脂受到污染或模具清洗不夠、粘合樹脂本身的問(wèn)題所產(chǎn)生的。這類呈連續(xù)狀的小晶點(diǎn)在每一層都有可能發(fā)生,其成因及現(xiàn)象也都極為相似。
知道上述判斷方法后采取有針對(duì)性的解決方法就可以有效地解決晶點(diǎn)問(wèn)題。
回料或填充的加入常常有這樣的問(wèn)題。
(一)什么是"晶點(diǎn)"?
晶點(diǎn)實(shí)際上是"過(guò)度聚合物".即晶點(diǎn)部位聚合物的分子量,高于周圍同種聚合物的分子量,由于分子量高,因此晶點(diǎn)部位聚合物具有較高熔點(diǎn),在熔化時(shí),熔體具有較高的粘度,晶點(diǎn)部位聚合物在吹成薄膜時(shí),不能與周圍的同種聚合物相互均勻地分散/混和,并在熔體吹成薄膜后,先于周圍的同種聚合物凝固.因此,研成"箭頭"狀或球狀過(guò)度聚合物的凝固體.習(xí)慣上被稱為"晶點(diǎn)"。
(二)晶點(diǎn)產(chǎn)生的原因
聚合物之所以產(chǎn)生晶點(diǎn),是因?yàn)?1)聚合物中有殘留的催化劑(2)聚合物熔體粘滯于生產(chǎn)設(shè)備鋼鐵表面,在高溫下,殘留的催化劑對(duì)聚合物繼續(xù)進(jìn)行催化作用,因此形成過(guò)度聚合物。(3)聚合物中所含的氧,也會(huì)使聚合物熔體產(chǎn)生晶點(diǎn)。
晶點(diǎn)來(lái)自兩個(gè)方面:(1)由聚合工藝所造成的晶點(diǎn);不同的聚合設(shè)備及工藝,對(duì)晶點(diǎn)的生成有不同的影響。例如:一些名廠原料,因生產(chǎn)技術(shù)高,聚合物中殘留的催化劑含量低,設(shè)備結(jié)構(gòu)好,因此,原料本身所含的晶點(diǎn)少,但一些品質(zhì)較差的原料,因生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備問(wèn)題,造成原料本身所含的晶點(diǎn)多。(2)由吹膜工藝所造成的晶點(diǎn)。
(三)減少或基本消除晶點(diǎn)的方法
綜上所述,在薄膜吹制工藝中消除晶點(diǎn),主要有兩個(gè)途徑:(1)提高加工設(shè)備的濾網(wǎng)目數(shù),(2)在生產(chǎn)過(guò)程中添加鋼鐵表面潤(rùn)滑劑,使被加工的聚合物熔體不能粘滯于吹膜設(shè)備表面。
從生產(chǎn)工藝上來(lái)說(shuō),雖使用較細(xì)的濾網(wǎng)可濾掉大部份聚合物中的晶點(diǎn),同時(shí)亦可濾除吹膜設(shè)備螺桿及炮筒部位因聚合物粘滯于鋼鐵表面所造成的晶點(diǎn),但問(wèn)題是設(shè)備背壓因此提高,對(duì)某些陳舊設(shè)備來(lái)說(shuō),難以做到.因此依靠換濾網(wǎng),也能對(duì)控制晶點(diǎn)提供幫助。
到目前為止,在國(guó)際上,最有效的晶點(diǎn)控制手段是采用高科技潤(rùn)滑劑,高科技鋼鐵表面潤(rùn)滑劑,由于它的聚合物分子具有高極性的特點(diǎn),使它能從烯烴類聚合物熔體中逸出,并粘附于設(shè)備的鋼鐵表面,從而消除了聚合物熔體在設(shè)備鋼鐵表面的粘滯層,因此聚合物熔體能持續(xù)勻速地被推動(dòng)前進(jìn),消除了粘滯于鋼鐵表面的聚合物熔體過(guò)長(zhǎng)時(shí)間受熱現(xiàn)象,防止了殘留的催化劑對(duì)聚合物的持續(xù)聚合,最終防止了在薄膜吹塑加工工藝中所產(chǎn)生的晶點(diǎn)。

另一方面,由于高科技潤(rùn)滑劑也能粘附于濾網(wǎng)表面,使聚合物熔體流經(jīng)濾網(wǎng)的阻力下降.因此,高科技潤(rùn)滑劑的使用,為采用較細(xì)的濾網(wǎng)提供了工藝條件,而較細(xì)濾網(wǎng)的采用,對(duì)濾除由聚合物生產(chǎn)時(shí)所產(chǎn)生的原生晶點(diǎn),是重要的工藝措施。

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